职称：教师
单位：兰州大学
部门：物理科学与技术学院
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个人介绍
主讲教师：杨建红
教师团队：共6位
- 杨建红
- 刘贵鹏
- 王妍蓉
- 李海蓉
- 王鹏
- 王冬峰
第1期
| 学校： | 兰州大学 |
| 开课院系： | 研-物理科学与技术学院 |
| 专业大类： | 电子信息 |
| 开课专业： | 集成电路工程，电子科学与技术 |
| 课程负责人： | 杨建红 |
| 课程英文名称： | Integrated Circuit Design: Device Fundamentals & Engineering Practice |
| 课程编号： | 402172023，402152004 |
| 学分： | 3 |
| 课时： | 54 |
课程介绍
本课程教学内容包括集成电路的设计基础和工程实践两大部分，设计基础主要讲授微电子器件和集成电路的基础理论，工程实践则基于实践基地开展工程项目（课题）实践与实训。课程教学内容以模块化形式组织，从理论到实践支撑教学目标。
教师团队
教学资源
| 课程章节 | | 文件类型 | | 修改时间 | | 大小 | | 备注 | |
| 1.1 教学大纲 |
文档
.pdf
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2023-12-28 | 263.89KB | ||
| 1.2 课程概览 |
视频
.mp4
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2024-01-10 | 9.32MB | ||
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视频
.mp4
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2024-01-10 | 10.98MB | |||
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文档
.pdf
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2024-01-10 | 1.59MB | |||
| 2.1 p-n结的瞬态特性/C-V特性/器件物理效应 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 904.12KB | ||
| 2.2 BJT的Ebers-Moll模型/Gummel-Poon模型/器件物理效应 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 552.68KB | ||
| 2.3 JFET/MESFET/HEMT的I-V特性及电流饱和机理 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 541.54KB | ||
| 2.4 MOS结构和MOSFET的I-V特性/C-V特性/器件物理效应 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 1.70MB | ||
| 2.5 闪速存储器和图像传感器 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 507.04KB | ||
| 3.1 Verilog HDL设计流程 |
文档
.pdf
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2023-12-28 | 1.36MB | ||
| 3.2 Verilog HDL语言简介 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 5.46MB | ||
| 3.3 Verilog HDL的设计方法 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 1.27MB | ||
| 3.4 数字集成电路的测试仿真 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 340.33KB | ||
| 3.5 组合逻辑和时序逻辑电路设计 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 972.12KB | ||
| 3.6 集成电路制造技术（工艺） |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 4.52MB | ||
| 4.1 7nm芯片技术的演进与挑战 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 794.08KB | ||
| 4.2 半导体器件与集成电路技术标准与规范 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 2.55MB | ||
| 5.1 IC设计工程项目清单及其要点 |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 413.29KB | ||
| 5.2 Ge、Si、GaAs、GaN器件何以逐次出现？ |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 256.83KB | ||
| 5.3 你熟知的p-n结，果真是那样简单吗？ |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 3.82MB | ||
| 5.4 三端半导体器件的电流都会饱和吗？ |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 265.57KB | ||
| 5.5 MOS器件的高低频电容为什么差异明显？ |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 264.08KB | ||
| 5.6 集成电路的产业状况：你了解多少？ |
文档
.pdf
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2023-12-27 | 1.39MB |
文档 课程章节
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