研-集成电路设计基础与工程实践

杨建红

目录

  • 1 课程概览
    • 1.1 教学大纲
    • 1.2 课程概览
  • 2 集成电路设计的器件物理基础
    • 2.1 p-n结的瞬态特性/C-V特性/器件物理效应
    • 2.2 BJT的Ebers-Moll模型/Gummel-Poon模型/器件物理效应
    • 2.3 JFET/MESFET/HEMT的I-V特性及电流饱和机理
    • 2.4 MOS结构和MOSFET的I-V特性/C-V特性/器件物理效应
    • 2.5 闪速存储器和图像传感器
  • 3 集成电路设计流程与制造技术
    • 3.1 Verilog HDL设计流程
    • 3.2 Verilog HDL语言简介
    • 3.3 Verilog HDL的设计方法
    • 3.4 数字集成电路的测试仿真
    • 3.5 组合逻辑和时序逻辑电路设计
    • 3.6 集成电路制造技术（工艺）
  • 4 集成电路技术标准与管理规范
    • 4.1 7nm芯片技术的演进与挑战
    • 4.2 半导体器件与集成电路技术标准与规范
  • 5 集成电路设计实践（含案例）
    • 5.1 IC设计工程项目清单及其要点
    • 5.2 Ge、Si、GaAs、GaN器件何以逐次出现？
    • 5.3 你熟知的p-n结，果真是那样简单吗？
    • 5.4 三端半导体器件的电流都会饱和吗？
    • 5.5 MOS器件的高低频电容为什么差异明显？
    • 5.6 集成电路的产业状况：你了解多少？
闪速存储器和图像传感器