职称:副教授
单位:上海建桥学院
部门:机电学院
职位:教师
主讲教师:史君
教师团队:共2位
| 学校: | 上海建桥学院 |
| 开课院系: | 机电学院 |
| 专业大类: | 电子工程系 |
| 开课专业: | 微电子科学与工程 |
| 课程负责人: | 史君 |
| 课程英文名称: | Principle Of Integrated Circuit Technology |
| 学分: | 3 |
| 课时: | 48 |
本教程所安排的教学内容围绕现代集成电路制造的基础工艺, 重点了介绍核心工序及关键制造工艺过程的基本原理。近可能多的就当代集成电路芯片制造工艺的最新发展做了较为详尽的介绍。本教程共分二十章。第一章至第八章介绍半导体相关的全部基础技术信息。第九章介绍工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来。第十章到第十九章覆盖制造厂中的每一个主要工艺,包括了: 氧化介质薄膜生长;半导体的高温掺杂;离子注入低温惨杂;薄膜汽相淀积工艺;图形光刻工艺原理;掩模制备工艺原理等。在细节上覆盖用于亚0.25μm工艺的最新技术。包括化学机械平坦化,浅槽隔离,步进与扫描系统,具有双大马士革的铜金属以及向多腔集成设备的工艺集成的普遍转移。
教学方法:理论教学+多样要学演示
考核方式:1+X考核形式
面向专业:微电子科学与工程(本科)专业
课程特点:强理论、强实践、多学科
主教材【半导体制造技术 Michael Quirk, Julian Serda著,韩郑生译,电子工业出版社,2013.5】
辅助教材【现代集成电路制造工艺原理/李惠军编著,山东大学出版社,2006.12】
参考教材【硅超大规模集成电路工艺技术——理论、实践与模型 /(美)普卢默等著,严利人等译,北京:电子工业出版社,2005.12 】
| 课程章节 | | 文件类型 | | 修改时间 | | 大小 | | 备注 | |
| 5.1 热氧化分类及原理 |
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2022-01-09 | 559.57MB | ||
| 6.2 化学气相淀积的原理及应用 |
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2022-01-09 | 286.42MB | ||
| 6.3 化学气相淀积的原理及应用 |
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2022-01-09 | 79.00MB | ||
| 7.3 扩散的原理及应用 |
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2022-01-09 | 242.88MB | ||
| 8.2 离子注入的原理,设备构成 |
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2022-01-09 | 262.85MB | ||
| 10.2 光刻的工艺流程 |
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2022-01-10 | 115.29MB | ||
| 15.1 双极型器件的工艺流程 |
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2022-01-10 | 172.68MB | ||
| 15.2 双极型器件的工艺流程 |
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2022-01-10 | 142.51MB | ||
| 15.3 CMOS器件的工艺流程 |
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2022-01-10 | 270.22MB |