目录

  • 1 第1单元
    • 1.1 半导体产业介绍
    • 1.2 半导体产业介绍
    • 1.3 半导体制造中的常用化学品
  • 2 第2单元
    • 2.1 半导体制造中的常用化学品
    • 2.2 半导体制造过程中的沾污控制
    • 2.3 半导体制造过程中的沾污控制
  • 3 第3单元
    • 3.1 硅材料的制备
    • 3.2 硅材料的制备
    • 3.3 外延原理及应用
  • 4 第4单元
    • 4.1 外延原理及应用
    • 4.2 SiO2结构、性质和在集成电路中的作用
    • 4.3 SiO2结构、性质和在集成电路中的作用
  • 5 第5单元
    • 5.1 热氧化分类及原理
    • 5.2 热氧化分类及原理
    • 5.3 集成电路中的隔离技术
  • 6 第6单元
    • 6.1 集成电路中的隔离技术
    • 6.2 化学气相淀积的原理及应用
    • 6.3 化学气相淀积的原理及应用
  • 7 第7单元
    • 7.1 物理气相淀积的原理及应用
    • 7.2 物理气相淀积的原理及应用
    • 7.3 扩散的原理及应用
  • 8 第8单元
    • 8.1 扩散的原理及应用
    • 8.2 离子注入的原理,设备构成
    • 8.3 离子注入的原理,设备构成
  • 9 第9单元
    • 9.1 退火的作用及应用
    • 9.2 退火的作用及应用
    • 9.3 光刻的定义,目的及光刻三要素
  • 10 第10单元
    • 10.1 光刻的定义,目的及光刻三要素
    • 10.2 光刻的工艺流程
    • 10.3 光刻的工艺流程
  • 11 第11单元
    • 11.1 光刻设备,影响光刻的因素和发展趋势
    • 11.2 光刻设备,影响光刻的因素和发展趋势
    • 11.3 刻蚀的定义,目的,分类,刻蚀参数
  • 12 第12单元
    • 12.1 刻蚀的定义,目的,分类,刻蚀参数
    • 12.2 不同刻蚀方法的优缺点及常用材料的刻蚀
    • 12.3 不同刻蚀方法的优缺点及常用材料的刻蚀
  • 13 第13单元
    • 13.1 金属化的作用及常用材料的金属化过程
    • 13.2 金属化的作用及常用材料的金属化过程
    • 13.3 常用材料的金属化过程及存在问题和解决方法
  • 14 第14单元
    • 14.1 常用材料的金属化过程及存在问题和解决方法
    • 14.2 平坦化分类和应用
    • 14.3 平坦化分类和应用
  • 15 第15单元
    • 15.1 双极型器件的工艺流程
    • 15.2 双极型器件的工艺流程
    • 15.3 CMOS器件的工艺流程
  • 16 第16单元
    • 16.1 CMOS器件的工艺流程
    • 16.2 复习考试
    • 16.3 复习考试
金属化的作用及常用材料的金属化过程