离子注入的原理，设备构成
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目录
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1 第1单元
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1.1 半导体产业介绍
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1.2 半导体产业介绍
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1.3 半导体制造中的常用化学品
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2 第2单元
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2.1 半导体制造中的常用化学品
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2.2 半导体制造过程中的沾污控制
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2.3 半导体制造过程中的沾污控制
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3 第3单元
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3.1 硅材料的制备
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3.2 硅材料的制备
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3.3 外延原理及应用
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4 第4单元
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4.1 外延原理及应用
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4.2 SiO2结构、性质和在集成电路中的作用
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4.3 SiO2结构、性质和在集成电路中的作用
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5 第5单元
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5.1 热氧化分类及原理
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5.2 热氧化分类及原理
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5.3 集成电路中的隔离技术
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6 第6单元
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6.1 集成电路中的隔离技术
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6.2 化学气相淀积的原理及应用
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6.3 化学气相淀积的原理及应用
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7 第7单元
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7.1 物理气相淀积的原理及应用
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7.2 物理气相淀积的原理及应用
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7.3 扩散的原理及应用
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8 第8单元
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8.1 扩散的原理及应用
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8.2 离子注入的原理，设备构成
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8.3 离子注入的原理，设备构成
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9 第9单元
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9.1 退火的作用及应用
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9.2 退火的作用及应用
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9.3 光刻的定义，目的及光刻三要素
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10 第10单元
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10.1 光刻的定义，目的及光刻三要素
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10.2 光刻的工艺流程
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10.3 光刻的工艺流程
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11 第11单元
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11.1 光刻设备，影响光刻的因素和发展趋势
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11.2 光刻设备，影响光刻的因素和发展趋势
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11.3 刻蚀的定义，目的，分类，刻蚀参数
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12 第12单元
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12.1 刻蚀的定义，目的，分类，刻蚀参数
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12.2 不同刻蚀方法的优缺点及常用材料的刻蚀
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12.3 不同刻蚀方法的优缺点及常用材料的刻蚀
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13 第13单元
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13.1 金属化的作用及常用材料的金属化过程
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13.2 金属化的作用及常用材料的金属化过程
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13.3 常用材料的金属化过程及存在问题和解决方法
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14 第14单元
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14.1 常用材料的金属化过程及存在问题和解决方法
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14.2 平坦化分类和应用
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14.3 平坦化分类和应用
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15 第15单元
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15.1 双极型器件的工艺流程
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15.2 双极型器件的工艺流程
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15.3 CMOS器件的工艺流程
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16 第16单元
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16.1 CMOS器件的工艺流程
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16.2 复习考试
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16.3 复习考试
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