微电子工艺原理与技术

谢亚伟

目录

  • 1 半导体产业
    • 1.1 半导体集成电路的发展历史
    • 1.2 集成电路产业的发展现状及主要特点
    • 1.3 分立器件和集成电路制造的基本工艺流程
  • 2 半导体材料和化学品的特性
    • 2.1 常用的衬底材料
  • 3 晶体生长与硅晶圆制备
    • 3.1 硅单晶的制备
    • 3.2 硅单晶的质量检验
    • 3.3 硅抛光片的制备
  • 4 晶圆制造和封装概述
    • 4.1 芯片制造的5个阶段
    • 4.2 晶圆和芯片的基本术语
  • 5 污染控制
    • 5.1 芯片制造过程中的污染源
    • 5.2 集成电路芯片制造超净环境
    • 5.3 清洗技术
    • 5.4 纯水制备技术
  • 6 生产能力和工艺良品率
    • 6.1 晶圆生产的良品率
    • 6.2 封装和成品测试良品率
  • 7 氧化
    • 7.1 二氧化硅层的用途
    • 7.2 热氧化机制
    • 7.3 薄膜生长-SiO2的热氧化
    • 7.4 氧化后的评估
  • 8 十步图形化工艺流程——从表面制备到曝光
    • 8.1 光刻工艺的基本原理
    • 8.2 光刻工艺的基本流程
    • 8.3 光刻胶
    • 8.4 表面制备
    • 8.5 旋转涂胶
    • 8.6 对准和曝光
  • 9 十步图形化工艺流程——从显影到最终检验
    • 9.1 显影
    • 9.2 先进的光刻工艺
    • 9.3 刻蚀的基本概念
    • 9.4 湿法刻蚀
    • 9.5 干法刻蚀
    • 9.6 去胶
    • 9.7 目检和显微镜检查
  • 10 掺杂
    • 10.1 扩散的基本原理
    • 10.2 扩散方法
    • 10.3 扩散的质量参数及检验
    • 10.4 离子注入的基本原理
    • 10.5 离子注入机
    • 10.6 离子注入的损伤与退火
  • 11 薄膜淀积
    • 11.1 化学气相淀积（CVD）
    • 11.2 原子层沉积（ALD）
    • 11.3 外延生长
    • 11.4 CVD技术淀积的薄膜材料
  • 12 金属化与平坦化工艺
    • 12.1 导电薄膜材料及其用途
    • 12.2 物理气相淀积（PVD)
    • 12.3 电化学镀膜
    • 12.4 化学机械平坦化CMP
    • 12.5 金属化工艺
  • 13 工艺和器件的评估
    • 13.1 集成电路制造工艺的测量和测试
  • 14 标准CMOS制造工艺流程介绍
    • 14.1 CMOS工艺设计与仿真
  • 15 封装和测试
    • 15.1 封装功能和设计
    • 15.2 基本的封装工序
    • 15.3 引线键合技术
    • 15.4 封装技术
    • 15.5 集成电路测试
  • 16 集成电路工艺设计与仿真
    • 16.1 二极管的工艺设计与仿真
    • 16.2 MOS管的工艺设计与仿真
    • 16.3 晶体管的工艺设计与仿真
薄膜生长-SiO2的热氧化