模拟电子复习题
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。
3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
【思路】
P型半导体（硅晶体掺杂微量3价元素硼）、N型半导体（硅晶体掺杂5价元素P）结合形成PN结，N区电子向P区扩散，P区空穴向N区扩散，交界面出现不能移动的正负两种离子形成空间电荷区。
4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。
【思路】
稳压二极管的反向电压较小，一般在几伏到几十伏之间，只要反向电流不大于其最大稳压电流。串接限流电阻，以防止热击穿而损坏稳压管。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。
【思路】门槛电压、正向导通压降是两个不同概念。注意区别。二极管具有整流作用。并接在电源正负端，当电源反接时，二极管导通短路，烧毁保险丝，保护了负载。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。
9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和 电子（N） 半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。
15、N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。
【思路】
甲类放大器效率低，不管有无信号，放大器始终有一个较大的工作电流。乙类放大器输出电流在1/2周期大于0。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是 结 电容。
【思路】
多级放大电路之间耦合方式主要的阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。阻容耦合不适合放大直流和缓慢变化信号。
直接耦合则指各级放大电路之间通过导线直接相连接。直接耦合是集成电路内部常用耦合方式。
变压器耦合优点是能进行电压、电流通用阻抗的变换，容易获得较大的输出功率。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ 增大 ，ICQ 增大 ，UCEQ 减小 。
思路:固定偏置放大电路
19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。
思路：三极管共射输出特性曲线：截止区（发射结反偏、集电结反偏），放大区（发射结正偏、集电结反偏），饱和区（发射结正偏、集电结正偏）。三极管处于截止状态时，基极电流与集电极电流接近为0，发射极与集电极近似开关断开。
饱和区时，三极管失去电流放大作用，Uce较小称为饱和压降，硅管与锗管分别是0.3V与0.1V。CE之间看成开关闭合状态。
放大区，集电极电流受基极电流影响。与Uce无关，用于信号放大电路使用。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
【思路】
由于三极管处于放大状态，NPN三极管Vc>Vb>Ve，PNP三极管Ve>Vb>Vc;不管何种管子，电位居中的引脚为基极b，与b相差零点几伏的为发射极e，由此可以确定e,b,c极。b,e相差0.3V的为锗管，相差0.7V的为硅管。C极电位最高的为NPN管，e极电位最高的为PNP管。
显然，1.2V电位的为b，0.5V电位为e，剩下3.6V为c。 NPN管，硅管。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。
【思路】
功率比前面系数为10log10，而电压比值则是20log10。dB具有可加性。
80db=20log10U1/U2 ，所以电压放大倍数为10000=10^4
22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc=-3.9V, 这是 硅 管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（RC）耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合_，其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 ，而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ 。
26、为了保证三极管工作在放大区，要求：
①发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC ＜0 。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射 组态有电流放大作用， 共射和共集 组态有倒相作用； 共集 组态带负载能力强， 共集 组态向信号源索取的电流小， 共基 组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射 。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 ， 阻容耦合 ， 变压器耦合 。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为 1800 ；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为 0 。
32、放大器有两种不同性质的失真，分别是 饱和 失真和 截止 失真。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结 a ，集电结 a ；工作在放大区时，集电结 b ，发射结 a 。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用 共射 组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用 共集 组态。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻 大 ，热稳定性 好
36、影响放大电路通频带下限频率fL的是 隔直 电容和 极间 电容。
37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。
38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。
40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型，它属于 电压 控制型器件。
41、场效应管属于 电压控制电流 型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。
42、场效应管是 电压控制电流器件 器件，只依靠 多数载流子 导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。
44、当栅源电压等于零时，增强型FET 无 导电沟道，结型FET的沟道电阻 最小 。
45、FET是 电压控制 器件，BJT是 电流控制 器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 。
47、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为 2W 的功率管 2 只。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 ，为了消除交越失真常采用 甲乙类 电路。
49、乙类功放的主要优点是 效率高 ，但出现交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙类 。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫 交越 失真。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL）中VCC=8v，RL=8Ω，电路的最大输出功率为 4W ，此时应选用最大功耗大于 0.8W 功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Ｒe或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。
53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB，则其AC= 0.1 。集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对 差模信号 具有放大能力，它对 共模信号 具有抑制能力。
55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。
56、电路如图1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，则I2≈ 0.4 mA，I3≈0.2mA，则R3≈ 10 kΩ。
57、集成运放通常由 输入级 、中间级；输出级、 偏置级 四个部分组成。
58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ；负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。
59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ，同时使输入电阻 减小 。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制 反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：
①降低电路对信号源索取的电流： 串联负反馈 。
②当环境温度变化或换用不同
值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 直流负反馈 。
③稳定输出电流： 电流负反馈 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ，同时使输入电阻 大 。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数 100 。
64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 。
65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。
66、为稳定电路的输出信号，电路应采用 负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正 反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= ∞ 、Rid= ∞ 、KCMR= ∞ 、RO= 0
68、理想运算放大器的理想化条件中有Avd= 无穷 ，KCMR= 无穷 。
69、电流源电路的特点是，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。
70、电流源的特点是输出电流 恒定 ，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。
72、理想运算放大器，Ad= 无穷大 、Ri= 无穷大 、Ro= 0 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。
74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；如果希望500 Hz以下的有用信号，可选用 低通 滤波器。
75、选取频率高于1000Hz的信号时, 可选用 高通 滤波器；抑制50 Hz的交流干扰时，可选用 带阻 滤波器；如果希望抑制500 Hz以下的信号，可选用 高通 滤波器。
76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰，可选用 带阻 滤波器；如果希望只通过500Hz到1kHz的有用信号，可选用 带通 滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、 高通滤波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。
78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下，得出两个重要结论，它们是： 虚断 和 虚短 。
79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路， 输出级大多采用 共集 电路。
80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、 反馈网络 、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。
81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为 ，相位平衡条件为 n=0、1、2… 。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时= -1 ，例如 自激 电路。在正反馈时= 1 ，例如 文氏 振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 LC振荡电路 的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。
84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 、其中相位平衡条件是 ，n为整数 、为使电路起振，幅值条件是 。
85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
86、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：= 3 、= 、= 。
87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是 、 n为整数 。
88、正弦波振荡电路起振的条件是和 n为整数。
89、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数 Af≥3 ，才能满足起振条件。
90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用 交流负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正 反馈。
91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路。
92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V，7915输出电压 -15 V。
93、直流电源一般由下列四部分组成，他们分别为：电源变压器、滤波电路、 稳压 电路和 整流 电路。稳压集成电路W7810输出电压 +10 V。
94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.45 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.9 倍。
95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏。
96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电压 。
97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状态不同 。
98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波器 、 稳压电路 等四部分构成。
99、 幅度失真 和 相位失真 总称为频率失真。
100、串联反馈式稳压电路由 调整管 、 比较放大 、 基准电压 、 取样环节 四部分组成。
单项选择题
1、半导体二极管加正向电压时，有（ A ）
A、电流大电阻小 B、电流大电阻大
C、电流小电阻小 D、电流小电阻大
2、PN结正向偏置时，其内电场被（ A ）
A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定
3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（A ）
A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态
4、在本征半导体中掺入（ A ）构成P型半导体。
A、3价元素 B、4价元素 C、5价元素 D、6价元素
5、 PN结V—I特性的表达示为（ A ）
A、 B、
C、 D、
6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（ B ）
A、变宽 B、变窄 C、不变 D、与各单级放大电路无关
7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）
A、 10kΩ B、2kΩ C、4kΩ D、3kΩ
8、三极管工作于放大状态的条件是（ A ）
A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏
9、三极管电流源电路的特点是（ ）
A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小
B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大
C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小
D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大
10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应当（ A ）
A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源
11、带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（ B ）
A、减小 B、增大 C、不变 D、变为零
12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ B ）
A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小
13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ C ）
A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路
