半导体物理与器件
曹伟平
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1 第一单元 绪论
1.1 半导体物理发展历史背景,化学键性质(1)
1.2 化学键性质与相应的晶体结构(2)
1.3 化学键性质与相应的晶体结构(3)
1.4 化学键性质与相应的晶体结构(4)
1.5 金刚石结构的各向异性(Ⅰ)
1.6 金刚石结构的各向异性(2)
1.7 金刚石结构的各向异性(3)
1.8 金刚石结构的各向异性(4)
1.9 砷化镓晶体的极性(1)
1.10 砷化镓晶体的极性(2)
1.11 半导体中的电子状态与能带(1)
1.12 半导体中的电子状态与能带(2)
1.13 半导体中的电子状态与能带(3)
2 第一章 半导体中的电子状态
2.1 半导体的晶格结构和结合性质(绪论1-10)
2.2 半导体中的电子状态和能带(绪论11-13)
2.3 半导体中的电子运动 有效质量
2.4 本征半导体的导电机构 空穴
2.5 回旋共振
2.6 硅和锗的能带结构
2.7 III-V族化合物半导体的能带结构
3 第二章 半导体中杂质和缺陷能级
3.1 硅、锗晶体中的杂质能级
3.2 III-V族化学物中的杂质能级
3.3 缺陷、位错能级
4 第三章 半导体中载流子的统计分布
4.1 状态密度
4.2 费米能级和载流子的统计分布
4.3 本征半导体的载流子浓度
4.4 杂质半导体的载流子浓度
4.5 一般情况下的载流子浓度
4.6 简并半导体
5 第四章 半导体的导电性
5.1 载流子的漂移运动和迁移率
5.2 载流子的散射
5.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
5.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
6 第五章 非平衡载流子
6.1 非平衡载流子的注入与复合
6.2 非平衡载流子的寿命
6.3 准费米能级
6.4 复合理论
6.5 陷进效应
6.6 载流子的扩散运动
6.7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系
7 第六章 pn结
7.1 pn结及其能带图
7.2 pn结电流电压特性
7.3 pn结电容
7.4 pn结击穿
7.5 pn结隧道效应
8 第七章 金属和半导体的接触
8.1 金属半导体接触及其能级图
8.2 金属半导体接触整流理论
9 第八章 半导体表面与MIS结构
9.1 表面态
9.2 表面电场效应
9.3 MIS结构的C-V特性
9.4 硅-二氧化硅系统的性质
10 第九章 半导体磁和压阻效应
10.1 霍尔效应
11 半导体器件
11.1 半导体器件简介
pn结击穿
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