个人介绍
半导体物理与器件

主讲教师:曹伟平

教师团队:共3

  • 曹伟平
  • 费金喜
  • 洪碧海
课程介绍
    《半导体物理与器件》最早开设于2016年的物理学(光电材料方向)专业。目前在物理学(光电材料方向)作为专业核心课程开设,同时在电子信息与工程等专业作为选修课开设。其中,物理学14共21人,电信15共74人。
    《半导体物理与器件》是物理学(光电材料方向)的专业核心课程。本课程主要涉及半导体中的电子状态和能带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体器件介绍等。为从事微电子、光电子、电子材料及其相关学科的科学研究、工程设计奠定扎实的理论与实践基础。
    该课程是讲述半导体物理性质(电学性质、光学性质、热学性质、磁学性质等)的学科。通过本课程的学习,应使学生全面了解和掌握半导体物理的基本概念、基础理论和基本器件物理,对于基础理论,要求应用简单的模型定性说明,并能做简单的数学处理。学习过程中,注意提高分析和解决实际问题的能力,并重视理论与实践的结合。从而培养学生分析和解决半导体技术基础的能力,为进一步学习相关专业课打下基础,为将来基础理论与半导体技术最新需求相结合,提高工作能力做好理论储备。
教师团队

曹伟平

职称:副教授

单位:丽水学院

部门:光电工程系

费金喜

职称:副教授

单位:丽水学院

部门:光电工程系

洪碧海

职称:副教授

单位:丽水学院

部门:光电工程系

课程标准

教学设计与方法

教学设计

该课程坚持以培养学生的综合素质以及实际应用能力为中心的教学理念。提倡知识与实践相结合,传统教学法与现代教学形式相结合,教学内容与形式多样化,因材施教,因人施教。旨在使学生全面掌握半导体的基本理论、基础知识,从而具备电路设计与应用的基本技能。

 对不同学生掌握的基础知识,需要讲解原子物理与固体物理的相关知识。

 

教学方法

根据半导体物理课程标准的规定,结合教材的要求,在教学方法和教学手段方面制订了如下的基本原则:
    
重视培养学生自学的能力;加强学生分析问题、综合运用和创新的能力。将课堂教学与课外实践有机地结合,在课堂教学中教师的启发、引导、和知识点的讲解基础上,再结合当前前沿理论应用研究,使整个教学环节成为学生自习、思考、实践和创新的过程。在教学中合理、科学综合地采用以下教学方法:
    
1)启发式教学方法。从学生入学开始就培养学生从被动学习向主动学习转化。着重培养学生在教学活动的主体地位(即以学生为中心),注意 培养学生独立学习的能力,改变教师为中心的传统教学模式。教师做导演,学生做演员。

2)背景教学法。除教材、网络课件中涉及的基础方面的内容外,在教学中随时注意加入研究背景知识,以全面提高学生的整体素养。

3)“分析教学法”,分析理解和归纳知识点,并做到举一反三。

4)利用多媒体及网络教学使学生多渠道的和老师进行教学互动。

  教学手段:

1)信息技术的运用:有效利用多媒体设备,课堂教学采用ppt与板书相结合的方式,使学生在课堂上通过视觉,听觉从多方面接收信息。

2)培养学生综合素质的教学模式:除了课本知识的学习,还注重学生自身综合素质的提高。通过撰写课程论文、对英文文献的阅读和理解,在课堂上进行讲解,与同学老师进行辩论,达到自身学习能力的提高。


参考教材

推荐参考教材:

1.半导体物理学(第7版)刘恩科等 电子工业出版社 2008年

2.半导体物理与器件 Donald A. Neamen著 赵毅强等译电子工业出版社 2005年

3.半导体物理 钱佑华、徐至中 高等教育出版社 2003年

4.半导体物理学学习辅导与典型题解 田敬民 电子工业出版社 2005年

5.半导体物理学(第二版)(上册) 叶良修 高等教育出版社 2007年

6.半导体物理学 黄昆、谢希德 科学出版社 1958年

7.半导体器件物理与工艺 施敏著、王阳元等译 苏州大学出版社 2002年

考核评价方法

考核方式:笔试闭卷

最终成绩构成分为4部分:

期末成绩占50%+作业占10%+考勤及课堂表现占20%

+课程论文或随堂测验占20%

习题

课程评价

教学资源
课程章节 | 文件类型   | 修改时间 | 大小 | 备注
1.1 半导体物理发展历史背景,化学键性质(1)
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1.2 化学键性质与相应的晶体结构(2)
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1.3 化学键性质与相应的晶体结构(3)
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1.4 化学键性质与相应的晶体结构(4)
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1.5 金刚石结构的各向异性(Ⅰ)
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1.6 金刚石结构的各向异性(2)
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1.7 金刚石结构的各向异性(3)
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1.8 金刚石结构的各向异性(4)
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1.9 砷化镓晶体的极性(1)
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1.10 砷化镓晶体的极性(2)
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1.11 半导体中的电子状态与能带(1)
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1.12 半导体中的电子状态与能带(2)
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1.13 半导体中的电子状态与能带(3)
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2.1 半导体的晶格结构和结合性质(绪论1-10)
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2.2 半导体中的电子状态和能带(绪论11-13)
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2.3 半导体中的电子运动 有效质量
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2.4 本征半导体的导电机构 空穴
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2.5 回旋共振
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2.6 硅和锗的能带结构
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2.7 III-V族化合物半导体的能带结构
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3.1 硅、锗晶体中的杂质能级
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3.2 III-V族化学物中的杂质能级
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3.3 缺陷、位错能级
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4.1 状态密度
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4.2 费米能级和载流子的统计分布
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4.3 本征半导体的载流子浓度
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4.4 杂质半导体的载流子浓度
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4.5 一般情况下的载流子浓度
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4.6 简并半导体
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5.1 载流子的漂移运动和迁移率
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5.2 载流子的散射
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5.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
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5.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
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6.1 非平衡载流子的注入与复合
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2021-12-10 23.59MB
6.3 准费米能级
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6.4 复合理论
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6.6 载流子的扩散运动
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2022-12-21 180.71MB
 
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6.7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系
视频
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2020-06-15 180.71MB
7.1 pn结及其能带图
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2020-11-18 26.53MB
 
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2020-11-18 1.44MB
8.1 金属半导体接触及其能级图
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2020-06-16 113.29MB
 
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2020-06-16 103.20MB
 
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2020-06-16 95.47MB
 
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2020-06-16 86.46MB
 
文档
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2020-06-16 673.00KB
9.1 表面态
文档
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2017-09-20 6.03MB
10.1 霍尔效应
视频
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2022-12-21 28.57MB
 
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2022-12-21 6.77MB
 
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2022-12-21 5.85MB
11.1 半导体器件简介
文档
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2020-11-18 4.03MB
课程章节
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