半导体物理与器件

曹伟平

目录

  • 1 第一单元 绪论
    • 1.1 半导体物理发展历史背景，化学键性质（1）
    • 1.2 化学键性质与相应的晶体结构（2）
    • 1.3 化学键性质与相应的晶体结构（3）
    • 1.4 化学键性质与相应的晶体结构（4）
    • 1.5 金刚石结构的各向异性（Ⅰ）
    • 1.6 金刚石结构的各向异性（2）
    • 1.7 金刚石结构的各向异性（3）
    • 1.8 金刚石结构的各向异性（4）
    • 1.9 砷化镓晶体的极性（1）
    • 1.10 砷化镓晶体的极性（2）
    • 1.11 半导体中的电子状态与能带（1）
    • 1.12 半导体中的电子状态与能带（2）
    • 1.13 半导体中的电子状态与能带（3）
  • 2 第一章 半导体中的电子状态
    • 2.1 半导体的晶格结构和结合性质（绪论1-10）
    • 2.2 半导体中的电子状态和能带（绪论11-13）
    • 2.3 半导体中的电子运动 有效质量
    • 2.4 本征半导体的导电机构 空穴
    • 2.5 回旋共振
    • 2.6 硅和锗的能带结构
    • 2.7 III-V族化合物半导体的能带结构
  • 3 第二章 半导体中杂质和缺陷能级
    • 3.1 硅、锗晶体中的杂质能级
    • 3.2 III-V族化学物中的杂质能级
    • 3.3 缺陷、位错能级
  • 4 第三章 半导体中载流子的统计分布
    • 4.1 状态密度
    • 4.2 费米能级和载流子的统计分布
    • 4.3 本征半导体的载流子浓度
    • 4.4 杂质半导体的载流子浓度
    • 4.5 一般情况下的载流子浓度
    • 4.6 简并半导体
  • 5 第四章 半导体的导电性
    • 5.1 载流子的漂移运动和迁移率
    • 5.2 载流子的散射
    • 5.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
    • 5.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
  • 6 第五章 非平衡载流子
    • 6.1 非平衡载流子的注入与复合
    • 6.2 非平衡载流子的寿命
    • 6.3 准费米能级
    • 6.4 复合理论
    • 6.5 陷进效应
    • 6.6 载流子的扩散运动
    • 6.7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系
  • 7 第六章 pn结
    • 7.1 pn结及其能带图
    • 7.2 pn结电流电压特性
    • 7.3 pn结电容
    • 7.4 pn结击穿
    • 7.5 pn结隧道效应
  • 8 第七章 金属和半导体的接触
    • 8.1 金属半导体接触及其能级图
    • 8.2 金属半导体接触整流理论
  • 9 第八章 半导体表面与MIS结构
    • 9.1 表面态
    • 9.2 表面电场效应
    • 9.3 MIS结构的C-V特性
    • 9.4 硅-二氧化硅系统的性质
  • 10 第九章 半导体磁和压阻效应
    • 10.1 霍尔效应
  • 11 半导体器件
    • 11.1 半导体器件简介
回旋共振