文档半导体材料绪论
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个人介绍
主讲教师：张黎可
| 学校： | 无锡学院（南信大滨江学院） |
| 开课院系： | 电子信息工程学院 |
| 学分： | 2 |
| 课时： | 32 |
课程介绍
《半导体材料与工艺》为电子科学与技术专业的一门专业必修课， 是本专业主干课程之一。本课程旨在培养学生对当前主要半导体材料的基本特性和生 长工艺的可靠掌握，对常用材料生长设备有一定了解。本课程旨在培养学生对当前主要半导体材料的基本特性和生长工艺的可靠掌握，对常用材料生长设备有一定了解。通过本门课程的学习，有助于培养学生的专业职业素养，提高学生运用理论知识分析解决问题的能力，为后期可能的理论研究和应用研究打下良好的基础。
课程评价
教学资源
| 课程章节 | | 文件类型 | | 修改时间 | | 大小 | | 备注 | |
| 1.1 半导体材料特征 |
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2022-08-22 | 6.59MB | ||
| 1.2 半导体材料的发展历程 |
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| 1.3 半导体材料的发展趋势 |
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| 2.1 硅和锗的物理化学性质 |
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| 2.2 高纯硅的制备 |
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| 2.3 锗的富集与提纯 |
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| 3.1 分凝现象与分凝系数 |
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| 3.2 区熔原理 |
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| 3.3 锗的区熔提纯 |
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| 4.1 晶体生长理论基础 |
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| 4.2 溶体的晶体生长 |
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| 4.3 硅、锗单晶生长 |
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| 5.1 硅、锗晶体中杂质的 性质 |
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| 5.2 硅、锗晶体的掺杂、位错和微缺陷 |
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| 6.1 硅的气相外延生长 |
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| 6.2 硅外延生长的缺陷及 电阻率控制 |
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| 6.3 硅的异质外延 |
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| 7.1 气相外延生长 |
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| 7.2 金属有机物化学气相外 延生长 |
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| 8.1 GaAs、InP 等 III-V 族 化合物半导体材料的特 性 |
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| 8.2 GaAs 单晶的制备及 应用 |
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| 9.1 GaN半 导体材料的特性 与应用 |
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| 9.2 SiC 半 导体材料的特性 与应用 |
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课程章节
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