半导体材料与工艺

张黎可

目录

  • 1 半导体材料绪论
    • 1.1 半导体材料特征
    • 1.2 半导体材料的发展历程
    • 1.3 半导体材料的发展趋势
  • 2 硅和锗的制备
    • 2.1 硅和锗的物理化学性质
    • 2.2 高纯硅的制备
    • 2.3 锗的富集与提纯
  • 3 区熔提纯
    • 3.1 分凝现象与分凝系数
    • 3.2 区熔原理
    • 3.3 锗的区熔提纯
  • 4 晶体生长
    • 4.1 晶体生长理论基础
    • 4.2 溶体的晶体生长
    • 4.3 硅、锗单晶生长
  • 5 硅锗单晶中的杂质和缺陷
    • 5.1 硅、锗晶体中杂质的 性质
    • 5.2 硅、锗晶体的掺杂、位错和微缺陷
  • 6 硅外延生长
    • 6.1 硅的气相外延生长
    • 6.2 硅外延生长的缺陷及 电阻率控制
    • 6.3 硅的异质外延
  • 7 化合物半导体的外延生长
    • 7.1 气相外延生长
    • 7.2 金属有机物化学气相外 延生长
  • 8 化合物半导体材料 (一) ：第二代半导 体材料
    • 8.1 GaAs、InP 等 III-V 族 化合物半导体材料的特 性
    • 8.2 GaAs 单晶的制备及 应用
  • 9 化合物半导体材料 (二) ：第三代半导 体材料
    • 9.1 GaN半 导体材料的特性 与应用
    • 9.2 SiC 半 导体材料的特性 与应用
分凝现象与分凝系数