
(纵向伸缩振动 )
一、压电方程组 + 牛顿第二定律
二、波动微分方程式
三、满足自由边界条件波动微分方程式的解
四、应力、应变、电位移与(x,t)的关系
五、通过振子电极面的电流
六、振子的等效导纳G或等效电阻Z为
七、几种频率及其关系:谐振频率,反谐振频率;串联谐振频率,并联谐振频率;最 大导纳频率,最小导纳频率
八、压电振子有关的常数与谐振频率及反谐振频率的关系
九、压电振子的等效电容、等效电感和等效电阻与材料参数的关系

α石英(点群为32)的压电常数矩阵

x切α-石英晶片可能的振动模式。x面为电极面。
x方向的纵向(厚度)伸缩振动;
y方向的横向伸缩振动
yz面切变振动。

压电陶瓷的压电常数矩阵

压电陶瓷圆片可能的振动模式。z面为电极面。
x、y方向的纵向伸缩振动;
z方向的厚度伸缩振动。


◎根据工作频率(谐振频率)设计的压电晶片的几何尺寸。
◎由于在不同方向上的压电常数不为零(存在压电性),同一激励电场在同一压电晶片会产生多个振动模式。
◎这样在工作频率附近所产生的振动模式就是寄生振动。

◎通过晶片的几何尺寸设计,可以有效地降低寄生振动的产生。
◎另外的方法是开槽技术。
◎不同的振动模式所对应的边界条件不相同。
◎通过在晶片边缘开槽,可以有效地抑制寄生振动。

薄长片压电振子的谐振频率fr为:




◎薄圆片压电振子的径向伸缩振动
◎其它压电振子: 薄圆环的径向振动,薄球壳的径向振动,薄片的厚度伸缩振动
◎能陷振动模

对于压电常数d31=d32和弹性柔顺常数s11=s22的压电晶体,例如钛酸钡、铌酸锂等晶体,可用它的z切割薄圆片的径向振动。
用柱坐标(O-rθz),圆片面与z轴垂直。因为是薄圆片,所以可以近似认为垂直于圆片面方向的应力Xz=0。
因为薄圆片只有径向伸缩形变,所以沿r方向和方向的Xr≠0,X≠0,而切应Xrθ=Xrz=Xθz=0。因为电极面就在圆片面上,所以只有沿z方向的电场强度分量Ez≠0,而沿r和q方向的电场强度分量Er=Eθ=0。

因电极面是等位面,故有(
Ez/
r)=0。选X、E为自变量,并注意到弹性柔顺常数s11=s22以及压电常数d31=d32,于是薄圆片压电振子的压电方程组为:

(5-37)
第二类压电方程组
若以(x、E)为自变量,有(5-37)式可得:

实验上常用杨氏模量Y和泊松比
代替弹性柔顺常数sE11、sE12,将Y=1/sE11,
=-sE12/sE11关系代入上式得:

5-38)式就是以应变和电场(x、E)为自变量,用柱坐标表示的薄圆片压电方程组。其中沿r方向的伸缩应变xr=(
ur/
r),沿θ方向的伸缩应变xθ=ur/r+(
uθ/
θ)/r。因为薄圆片的径向伸缩振动具有圆对称性,所以((
uθ/
θ)=0。在此情况下,沿θ方向的伸缩应变简化为xθ=ur/r。

若圆片密度为ρ,则小的质量为(见图5-7);若为小块bcde沿径向的位移ρrdθdr,则小块沿径向加速度为
2ur/
t2。小块的运动方程为:


由于dr和dθ都很小,故有:
图5-7

忽略Xθ与Xθ’的差别(即认为Xθ=Xθ’)。将这些结果代入到上式后,即得小块的运动微分方程式为:

即:

(5-39)

将压电方程组(5-38)式代入上式,并注意到(
Ez/
r)=0,即得:

得到薄圆片压电振子的波动方程为:

(5-40)
其中波速:


