晶体的介电性质所遵从的电学规律,要用电位移D(极化强度P)与电场E之间的关系式来描写。

晶体的弹性性质所遵从的力学规律,要用应力张量X与应变张量x之间的关系式—广义胡克定律来描写。

或: 
同样:压电晶体的压电性质所遵从的机电规律,要用电位移D,电场强度E,应力张量X,应变张量x之间的关系—压电方程来描写。
下面先以钛酸钡晶体的z切割为例,进行分析讨论。然后推广到一般情况下的压电方程。

现在只考虑在应力X1和电场E3作用下晶片的形变。当电场E3=0,应力X1≠0时,晶片在应力X1作用下产生的弹性形变为,

弹性柔顺常数sE11的上标E表示电场E=0(或E为常数),即sE11代表E=0的弹性顺服常数,故称短路弹性顺服常数。
当电场E3≠0,应力X1=0时,晶片在电场E3的作用下通过逆压电效应产生的压电应变为:

当电场E3≠0,应力X1≠0时,晶片在应力X1和电场E3的作用下,产生的应变应该是弹性应变和压电应变之和,即:

在应力X1和电场E3作用下晶片的电位移:当电场E3≠0,应力X1=0时,晶片在电场E3的作用下产生的介电电位移为:

介电常数
X33的上标X表示应力X=0(或X为常数),即
X33代表X=0(或X为常数)时的介电常数,称为机械自由介电常数。
当电场E3=0,应力X1≠0时,晶片在应力X1作用下通过正压电效应产生的压电电位移为:
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当电场E3≠0,应力X1≠0时,晶片在应力X1和电场E3的作用下,产生的电位移应该是介电电位移与压电电位移之和,即:


