材料化学13级双语

刘志明 教授

目录

  • 1 第一章 绪论
    • 1.1 Historical Perspective
    • 1.2 Materials Science and Engineering
    • 1.3 Why  Study  Materials Chemistry?
    • 1.4 Materials and Its Components
    • 1.5 Classification of Materials
    • 1.6 Materials Science and Materials Chemistry
    • 1.7 Research Field of Materials Chemistry
    • 1.8 Development of materials
    • 1.9 Composition, Structure and Performance of Materials
    • 1.10 Performance of Materials
  • 2 第二章  固体相图化学
    • 2.1 Phase Changes of Solids, Liquids and Gases
    • 2.2 Differences between the Three States of Matter
    • 2.3 The Close Packed Solid
    • 2.4 Phase relations between individual solids
      • 2.4.1 Phase Diagram and Phase Chemistry
    • 2.5 One-component system单元系相图
    • 2.6 Binary system phase diagram 二元系相图—固溶体相图、合金相图
      • 2.6.1 Binary fully soluble phase diagram二元匀晶相图
      • 2.6.2 Eutectic Phase Diagram, Eutectoid Phase Diagram二元共晶、共析相图
      • 2.6.3 Peritectic Phase Diagram & Peritectoid Phase Diagram包晶和包析相图
      • 2.6.4 Stable Compound or Intermetallic Compound  形成稳定化合物或中间相的二元相图
      • 2.6.5 Basic Rules of  Binary System  二元相图的一些基本规律
    • 2.7 Ternary Phase Diagram 三元系相图
      • 2.7.1 三元相图的表示方法
      • 2.7.2 三元系平衡相的定量法则
      • 2.7.3 三元匀晶相图
      • 2.7.4 三元共晶相图
      • 2.7.5 Summary of ternary phase diagram
  • 3 第三章 固体结构测定
    • 3.1 Scientific determination of the structure of solids
    • 3.2 Bragg’s Equation
    • 3.3 Miller Indices
    • 3.4 Ewald and Reciprocal Lattice
    • 3.5 Energy Band Models
    • 3.6 Solid Structure Conventions and protocols
  • 4 Chapter 4 Defects in Solids
    • 4.1 Three kinds of Defects
      • 4.1.1 Types of point defects expected in a homogeneous
      • 4.1.2 The point defect in heterogeneous solids
      • 4.1.3 The line defect
      • 4.1.4 The Volume Defect
    • 4.2 Mathematic and equations of the points
      • 4.2.1 The Plane Net
    • 4.3 Non-stoichiometric solids
    • 4.4 Defect equation symbolism
    • 4.5 Some applications for defect chemistry
      • 4.5.1 Phosphors
      • 4.5.2 Defect equilibria and their energy
      • 4.5.3 Defect equilibria in various type of compounds
      • 4.5.4 Defect concentrations in MXs Compounds
  • 5 Mechanisms and Reactions in the Solid State
    • 5.1 Phase changes
    • 5.2 The role of phase boundaries in solid state reactions
    • 5.3 Reaction rate processes in solids
    • 5.4 Defining heterogeneous nucleation process
    • 5.5 Phase changes of solid state
    • 5.6 Fick’s Laws of Diffusion— Kinetics Equation of Diffusion
      • 5.6.1 Fick’s First Law
      • 5.6.2 Fick’s Second Law
      • 5.6.3 Driving force of Diffusion
    • 5.7 Diffusion Mechanism
      • 5.7.1 The Tarnishing Reaction
      • 5.7.2 Kirchendall Effect
      • 5.7.3 Types of diffusion reactions
    • 5.8 硅酸盐固相反应
      • 5.8.1 固相反应机理
      • 5.8.2 固相反应动力学
      • 5.8.3 影响固相反应的因素
    • 5.9 硅酸盐固相烧结
      • 5.9.1 烧结过程和机理
      • 5.9.2 烧结动力学
      • 5.9.3 影响固相烧结的因素
  • 6 Particles and Particle Technology
    • 6.1 Sequences in particle growth
    • 6.2 粒子径与粒度分布
      • 6.2.1 粒子径的表示方法
      • 6.2.2 粒度分布
      • 6.2.3 平均粒子径
      • 6.2.4 新建课程目录
    • 6.3 Particle size
    • 6.4 Measuring particle distributions
    • 6.5 Analysis of PD parameters
    • 6.6 Types of log normal particle distributions
    • 6.7 粒子形态
      • 6.7.1 形状指数
      • 6.7.2 形状系数
      • 6.7.3 粒子的比表面积
    • 6.8 粉体的密度与孔隙率
      • 6.8.1 粉体的密度
      • 6.8.2 粉体孔隙率
    • 6.9 Methods of measuring particle distributions
      • 6.9.1 Optical-The microscope-visual counting particles
  • 7 Growth of Crystals
    • 7.1 Methods of growth of crystals
    • 7.2 Furnace construction
      • 7.2.1 Elements of furnace design
    • 7.3 Steps in growing a single crystal
    • 7.4 Czochralski growth of single crystals
      • 7.4.1 Czochralski crystal growth parameters
      • 7.4.2 Operation of the Czohralski apparatus
      • 7.4.3 Defects produced in the growing crystal as a function of growth conditions
    • 7.5 The Bridge-Stockbarger Method for Crystal Growth
    • 7.6 Zone melting as a means for forming single crystals
    • 7.7 Zone refining
    • 7.8 The Vernuil method of crystal growth
  • 8 Plasma Chemistry
    • 8.1 等离子化学
      • 8.1.1 等离子体
      • 8.1.2 Plasma空间的各种现象—碰撞、激发、电离、复合、附着、离脱扩散和迁移
      • 8.1.3 低温等离子体的发生与放电特性
      • 8.1.4 等离子体化学的特征
      • 8.1.5 等离子体化学的应用—气—固相反应
      • 8.1.6 等离子体检测
    • 8.2 光化学
Energy Band Models


②区和区之间能量是不连续的，这个区域称为禁带(forbidden band)，禁带宽度的不同可以用来区分导体和绝缘体。

③价电子的运动速度越大，能级E所属的能带一般来说越宽；电子的平均速度越小，对应的能带越窄。