集成电路设计基础

任建

目录

  • 1 集成电路设计绪论
    • 1.1 绪论1
  • 2 MOS器件物理基础
    • 2.1 MOS器件-基本概念2
    • 2.2 MOSFET基本工作原理3
    • 2.3 MOS器件I/V特性4
    • 2.4 MOSFET版图5
    • 2.5 MOSFET电容和直流特性6
    • 2.6 MOS小信号等效模型7
  • 3 单级放大器
    • 3.1 电阻负载共源放大器8
    • 3.2 Cadence瞬态、DC仿真9
    • 3.3 二极管、电流源负载共源级10
    • 3.4 61例题仿真11
    • 3.5 源级退化共源放大器12
    • 3.6 源跟随器13
    • 3.7 共栅级14
    • 3.8 共源共栅级基础15
    • 3.9 共源共栅级16
  • 4 差动放大器
    • 4.1 基本差动对17
    • 4.2 共模响应、MOS负载差分对18
    • 4.3 基尔伯特单元19
  • 5 电流镜与偏置技术
    • 5.1 基本电流镜20
    • 5.2 共源共栅电流镜21
    • 5.3 有源电流镜22
    • 5.4 偏置技术23
    • 5.5 共源级偏置24
  • 6 带隙基准
    • 6.1 与电源无关的基准25
    • 6.2 带隙基准实现原理26
    • 6.3 PTAT电流实现27
    • 6.4 复杂基准源实现28
  • 7 数字集成电路基础
    • 7.1 数字集成电路概述29
    • 7.2 数字集成电路工艺30
    • 7.3 数字集成电路器件31
  • 8 反相器
    • 8.1 反相器特性32
  • 9 组合逻辑门
    • 9.1 CMOS逻辑33
    • 9.2 功效理论与动态逻辑34
  • 10 时序电路
    • 10.1 时序逻辑+实验3536
CMOS逻辑33