课程实践指导

摘要：给出具有最小尺寸的一级反相器电路，并测出传播延时的所有细节过程。

1添加basic库

本次课程中需要用到pin等元器件，需要添加basic库。

使用第一章中提到的work目录下的cds.lib文件，通过gedit cds.lib打开该文件，在文本框中输入以下图片中内容。(方法同上一章）

2建立新的cell view

选择之前建立mos_iv库，建立新的cellview,方法详见上一章，本例中命名为inv。

3 编辑原理图

所有的vdd、gnd、电流源vdc、vpulse以及电容cap均选择analogLib库，mos管选择tsmc18中的pmos2V和nmos2V。电流源以及负载电容参数设置如下表：

  

    输出vout选择左侧工具栏，添加pin，或者通过按P快捷键完成添加Pin。此处一定要注意pin的方向。

该处需要对电源相关的线打label，步骤如下所示： 

1.先L快捷键或者通过工具栏添加（如下图所示），会弹出Add Wire Name的窗口。

2.然后输入需要添加label的名字；

3.最后选择要添加label的线。点击那根线，label即添加成功。

如果两条线label一样，那工具认为他们就是一样的线。

 

完成后最终的原理图如下。

 

4 ADE环境设置

详见上章 ADE环境设置

5 tran瞬态分析设置

截止时间（Stop Time）设置为500ns。

选择输出output，方式和上章中相同。界面会自动跳到原理图的界面，用鼠标点击pin vout和栅极输入的net（本例中该线条通过打label名称是Vin，视频中为net10）。完成之后ADE界面如下图所示。

接下来就可以进行仿真，除了按照上章中的方式进行仿真，也可以用过点击ADE界面右侧工具栏选择倒数第三个按钮进行仿真。

最终的波形如下图，此处不再截取网表报告信息。可以看出，选中的红色线条net17是输入信号的波形，高电平是1.8V,绿色线条是输出vout pin 的波形，与输入是反相的。

选择上图所示的按钮，可以在X方向上选择希望放大的区域，放大后如下图所示。鼠标所放位置左下角会显示出该点的坐标值。从而可以手动算出反相器链的延时。