课程实践指导

摘要：给出画出一条I/V曲线的所有细节过程

1 添加模拟电源库

本次课程中需要用到电流源等元器件，需要添加analogLib库。

使用第一章中提到的work目录下的cds.lib文件，通过gedit cds.lib打开该文件，在文本框中输入以下图片中内容。

然后输入icfb并回车以启动icfb软件。可以看到该文库已在软件中

2 建立新的library和cell view

在library manager窗口下，建立新的库.

 

选择连接到已经存在的技术库，选择tsmc18，完成库的建立。

 

选择新建立的库mos_iv，file>new>cell view建立库中的cell，名称可以自定义。

View name选择schematic。

   

3 编辑原理图

完成以上步骤之后，打开该schematic.界面如下图所示。

通过点击5按钮或者快捷键按i即可添加元器件。通过browse选择不同库下的不同cell；2按钮删除器件；3按钮退回上一步操作；4按钮或者快捷键按q编辑元器件属性；6按钮进行各个节点之间的连线。

 

  

最终完成的原理图如下图所示，点击按钮1保存并检查是否存在Error或者Warning。

4 ADE环境设置

完成原理图的编辑之后，在schematic视图中中通过菜单项Tools > Analog Environment启动VirtuosoAnalog Design Environment（ADE）；在ADE界面通过菜单项Setup >Simulator/directory/host打开Setup对话框，选择使用spectre 仿真器；之后在ADE界面通过菜单项Setup >Model Libraries打开Model LibrariesSetup对话框，通过Browse按钮选择使用的库文件，section部分设置为tt，具体操作如下图。

 

该设计中使用的工艺模型文件路径如下：

 

并将该对话框本身显示的工艺文件设置为disable状态或者直接delete。如果设置为disable状态后,该工艺文件名称前会添加#标识符.

5 DC直流分析设置

先进行变量设置,vgs的初值均为1.5V，vds初值设为0V.设置方法如下：

之后打开dc直流分析的窗口,操作如下图所示：

对进行Vds设置，Vds是扫描变量，扫描范围设置为0~2.5V,其它参数设置如下图。

 

选择输出output。按照下图方式选择：

按照上图方式选择之后，界面会自动跳到原理图的界面，用鼠标点击NMOS的漏极，选择该点为输出测试点。完成之后ADE界面如下图所示

接下来进行仿真

点击之后，仿真器会对该电路进行仿真，本次设计比较简单，很快就可以出结果。完成仿真之后会出现一个specture的仿真报告，以及我们需要的特征曲线。

 

该图则是当Vgs=1.5V时，Vds从0~2.5V变化，漏电流Id的变化特性曲线图。

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