14.5  双极型晶体管

一、晶体管类型

    双极型晶体管具有NPN型和PNP型两种结构，它们的工作原理相同，只是电源极性相反而已。在放大状态，发射结均为正偏（电压降与半导体材料有关：硅约为0.7V，锗约为0.3V），集电结均为反偏。

二、电流放大作用

    晶体管具有电流放大作用，由实验测得数据可知：

三、特性曲线

          输出特性曲线通常分三个区：

（1）放大区

在放大区有 IC=bIB，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。

（2）截止区

IB < 0 以下区域为截止区，有 IC »0。在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。

（3）饱和区

当UCE£UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，bIB ³IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。IB电流大于、等于。

  深度饱和时，

  硅管UCES »0.3V，

    锗管UCES »0.1V。

四、判断晶体管的工作状态

 1、用电压UCE判断：

  （1）集电极、发射极电压UCE等于电源电压，为截止状态；

  （2）集电极、发射极电压UCE近似等于零，为饱和状态；

  （3）集电极、发射极电压UCE在电源电压和零之间，为放大状态。

 2、用IB电流判断：

  IB小于等于0，为截止状态；IB大于等于IBS，为饱和状态；IB在零和IBS之间，为放大状态。