半导体器件

苏庆

目录

  • 1 第一章 半导体器件的发展
    • 1.1 绪论
    • 1.2 半导体器件的发展
  • 2 第二章 半导体物理基础
    • 2.1 半导体材料
    • 2.2 半导体能带结构
    • 2.3 杂质和缺陷能级
    • 2.4 热平衡载流子浓度
    • 2.5 载流子输运现象
      • 2.5.1 热运动 漂移
      • 2.5.2 扩散
      • 2.5.3 载流子的产生和复合
      • 2.5.4 连续性方程
  • 3 第三章 pn结及相关器件
    • 3.1 pn结的热平衡状态
    • 3.2 pn结的耗尽区
    • 3.3 pn结的伏安特性
    • 3.4 pn结的电容效应和击穿
    • 3.5 pn结的端功能和异质结
  • 4 第四章 双极型晶体管及相关器件
    • 4.1 双极型晶体管的工作原理
    • 4.2 双极型晶体管的电流传输
    • 4.3 异质结双极型晶体管
    • 4.4 理想双极型晶体管的频率响应与开关特性
    • 4.5 可控硅器件
  • 5 第五章 金属半导体接触及相关器件
    • 5.1 肖特基接触
    • 5.2 肖特基二极管的伏安特性
    • 5.3 欧姆接触
  • 6 第六章 MOSFET及相关器件
    • 6.1 MOS二极管
    • 6.2 FET及MOSFET
    • 6.3 MOS存储器件
  • 7 第七章 太阳能电池
    • 7.1 太阳能电池种类及其原理
  • 8 第八章 光致发光 LED及半导体激光器
    • 8.1 LED及半导体激光器基本结构及其原理
  • 9 第九章 光催化
    • 9.1 光催化降解有毒物质的基本原理
pn结的热平衡状态