再结晶形核机制
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根据形变量不同和材料差异,有以下形核机制。
1. 晶界弓出形核
对于变形程度较小的金属(一般小于20%),晶粒间变形不均匀,形变储能(位错密度或亚晶尺寸)不同,再结晶晶核往往采取晶界弓出形核机制生成。
形核的能量条件为:![]()
式中 g为晶界表面能;Es为单位体积形变储能;L为球形晶核的半径。
2. 亚晶合并形核
对于层错能高的金属,扩展位错窄而易于束集并攀移和交滑移。某些取相差较小的亚晶界上的位错通过攀移和交滑移转移到其它亚晶界上,导致亚晶界的消失而形成亚晶间的合并,同时由于不断有位错运动到新亚晶晶界上,因而其逐渐转变为大角度晶界,该亚晶成为再结晶核心。
3. 亚晶长大形核
对于层错能低的金属,扩展位错宽而不易于束集,因而不能通过攀移和交滑移转移。某些取向差较大的亚晶界具有较高的移动性,在加热过程中发生迁移并吸收更多的位错,并转渐变为大角度晶界,而晶界扫过区域为无畸变区域,成为再结晶核心。

