微电子工艺

王长昊

目录

  • 1 第一章 绪论
    • 1.1 第0课时 课程简介
    • 1.2 第一课时 微电子工艺是讲什么的
    • 1.3 第二课时 微电子工艺的发展历程
    • 1.4 第三课时 微电子工艺的特点
    • 1.5 第四课时  半导体单晶硅的特点
    • 1.6 第五课时  硅晶体中的缺陷与杂质
    • 1.7 第六课时 半导体单晶硅的特点-2
    • 1.8 微电子制造工艺简介
  • 2 第二章  硅片的制备
    • 2.1 第一课时  多晶硅制备，单晶生长CZ法
    • 2.2 第二课时 生长机理
    • 2.3 第三课时 单晶生长 掺杂
    • 2.4 第四课时 单晶生长MCZ与FZ法
    • 2.5 第五课时  硅片的制备
    • 2.6 第六课时   晶圆生产流程演示
  • 3 第三章 氧化
    • 3.1 第一课时 二氧化硅的结构和性质
    • 3.2 第二课时 二氧化硅的掩蔽作用
    • 3.3 第三课时 硅的热氧化生长动力学
    • 3.4 第四课时 决定氧化速率常数和各种因素
    • 3.5 第五课时 热氧化过程中的杂质再分布
    • 3.6 第六课时 初始氧化阶段及薄氧化层的生长
    • 3.7 第七课时  硅-二氧化硅界面特性
  • 4 第四章 扩散
    • 4.1 第一课时 杂质扩散机制
    • 4.2 第二课时 扩散系数与扩散方程
    • 4.3 第三课时 扩散杂质的分布
    • 4.4 第四课时 影响扩散杂质分布的其他因素
    • 4.5 第五课时 扩散工艺
  • 5 第五章 离子注入
    • 5.1 第一课时  概述
    • 5.2 第二课时 离子注入原理
    • 5.3 第三课时  注入离子在靶中的分布
    • 5.4 第四课时  注入损伤
    • 5.5 第五课时 退火
    • 5.6 第六课时 离子注入设备与工艺
    • 5.7 第七课时 离子注入的其它应用
    • 5.8 第八课时 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
  • 6 化学气相淀积
    • 6.1 CVD工艺概述
    • 6.2 CVD工艺原理
    • 6.3 CVD工艺方法
    • 6.4 二氧化硅薄膜的淀积
    • 6.5 氮化硅薄膜淀积
    • 6.6 多晶硅薄膜的淀积
    • 6.7 CVD金属及金属化合物
  • 7 物理气相淀积
    • 7.1 PVD概述
    • 7.2 真空系统及真空的获得
    • 7.3 真空蒸镀
    • 7.4 溅射
    • 7.5 PVD金属及化合物薄膜
  • 8 光刻工艺
    • 8.1 概述
    • 8.2 基本光刻工艺流程
    • 8.3 光刻掩膜版制造技术
    • 8.4 光刻胶
    • 8.5 紫外曝光技术
    • 8.6 光刻增强技术
    • 8.7 其它曝光技术
    • 8.8 光刻新技术展望
  • 9 刻蚀技术
    • 9.1 刻蚀技术-概述
    • 9.2 湿法刻蚀
    • 9.3 干法刻蚀
    • 9.4 二氧化硅薄膜的干法刻蚀技术
    • 9.5 多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
  • 10 工艺集成
    • 10.1 金属化与多层互连
    • 10.2 尖楔现象
    • 10.3 集成电路中的隔离技术
    • 10.4 CMOS集成电路的工艺集成
    • 10.5 双极型集成电路的工艺集成
第一课时 杂质扩散机制