分析二次再结晶与再结晶和正常晶粒长大的区别。
答：
    再结晶无畸变的新晶粒的形核和长大过程，无论其形核还是长大，驱动力都是形变储能；二次再结晶则是再结晶之后少数晶粒的长大过程，其驱动力是晶界能或表面能。
    正常晶粒长大是大多数晶粒同时长大，再结晶之后均会发生的长大现象，长大后的组织特征是尺寸均匀的晶粒；二次再结晶是少数晶粒的突出长达过程，须具备一定的条件才能发生，其组织特征是晶粒尺寸相差悬殊。

再结晶织构的利用：
    作为电子仪器重要元件的电解电容器，高电容和小体积一直是人们追求的目标。高电容和小体积是一对矛盾，为此，人们采用铝箔并使用抛光和侵蚀技术，为制造铝箔表面起伏以增加铝箔表面面积。研究表明，铝箔侵蚀效果的好坏直接受铝箔织构的影响。而在电容器铝箔内，最好的腐蚀通道是{100}<001>，也就是说，工业生产电容器铝箔时，要求发达的立方织构。铝箔中立方织构形成的途径就是对冷轧后的高纯铝箔进行再结晶退火，获得立方再结晶织构，而得到发达立方织构的关键影响因素之一就是再结晶退火工艺。