5月27日 5、6节
上一节
下一节
5月27日 15:30在学习通发布 第十二次作业 半导体表面习题。作业内容与讲义中不完全一致。截止时间为6月3日 23:00.
参考学习:
复旦大学蒋玉龙半导体物理 表面场效应 半导体表面的5种状态、
Si/SiO2系统中的电荷状态 https://www.bilibili.com/video/BV1NE411E78K?p=22
小节:
记住理想MIS结构的条件,正确画出理想MIS结构热平衡、正偏、反偏的能带图。记住半导体表面在积累、耗尽、弱反型、强反型的条件,能够正确画出对应半导体为积累、耗尽、弱反型、强反型的能带图。
记住并理解什么是表面场效应。
能够画出理想MIS结构的电容等效电路图,定性的说明MIS结构的电容电压特性。能够理解MIS结构电容-电压特性的分析过程。能够正确的画出N-MIS、P-MIS结构的高频电容-电压曲线。能够根据MIS结构的高频电容-电压曲线判断MIS结构中的半导体是n型还是p型。
金属和半导体功函数不同时,理解什么是平带电压,能够正确计算平带电压。能够正确画出MIS结构高频电容-电压曲线。能够正确画出MIS结构热平衡、正偏、反偏电压时的能带图。
理解绝缘层中存在固定电荷时,对MIS电容的影响,并能够正确画出高频MIS结构的电容-电压曲线。

