目录

  • 1 常用半导体器件
    • 1.1 绪论 信号
    • 1.2 半导体基本知识
    • 1.3 PN结的形成
    • 1.4 PN结特性
    • 1.5 二极管及其简化模型
    • 1.6 特殊二极管
    • 1.7 双极结型三极管的结构及工作原理
    • 1.8 晶体管的特性曲线
    • 1.9 半导体-场效应管的结构及符号
    • 1.10 MOSFET的工作原理
    • 1.11 MOSFET的特性曲线及特性方程
    • 1.12 其他类型的MOS管
  • 2 基本放大电路
    • 2.1 引言  信号线性放大
    • 2.2 晶体管的放大电路的小信号模型分析法
    • 2.3 晶体管的静态偏置和放大电路构成
    • 2.4 MOSFET基本放大电路构成及信号放大的实现
    • 2.5 MOSFET放大电路的静态偏置和信号的输入输出
    • 2.6 场效应管的图解分析法
    • 2.7 场效应管的小信号模型分析法
    • 2.8 共源极、共漏极和共栅极放大电路
    • 2.9 MOSFET放大电路分析设计举例
    • 2.10 MOSFET和BJT及其基本放大电路比较
    • 2.11 晶体管的三种基本放大电路和复合管
  • 3 集成运算放大电路
    • 3.1 引言 放大电路模型
    • 3.2 多级放大电路
    • 3.3 集成电路中的直流偏置——直流电流源
    • 3.4 零点漂移及差分式放大电路的一般概念和指标
    • 3.5 晶体管的差分式放大电路和带有源负载的差放
    • 3.6 场效应管的源极耦合差分式放大电路
    • 3.7 集成运算放大器简介
    • 3.8 集成运放的主要参数及其在实际应用中的影响
  • 4 放大电路的频率响应
    • 4.1 单时间常数RC电路的频率响应
    • 4.2 放大电路频率响应概述及三极管高频小信号模型
    • 4.3 三极管放大电路的高频响应和带宽增益积
    • 4.4 阻容耦合放大电路的低频响应及全频域响应
    • 4.5 多级放大电路的频率响应
  • 5 放大电路中的反馈
    • 5.1 反馈的基本概念及直流、交流反馈
    • 5.2 串联反馈与并联反馈,电压反馈与电流反馈
    • 5.3 正反馈与负反馈
    • 5.4 负反馈放大电路的四种组态
    • 5.5 负反馈放大电路增益的一般表达式
    • 5.6 深度负反馈条件下的近似计算
    • 5.7 负反馈对放大电路性能的影响
    • 5.8 负反馈放大电路的稳定性
  • 6 信号的运算与处理
    • 6.1 运算放大器及其信号放大
    • 6.2 运算放大器基本线性应用
    • 6.3 有源滤波器的基本知识及一阶有源滤波器
    • 6.4 高阶有源滤波器
  • 7 波形的发生与信号的转换
    • 7.1 RC正弦波振荡电路
    • 7.2 电压比较器
    • 7.3 方波和锯齿波产生电路
  • 8 功率放大电路
    • 8.1 放大电路的四类工作状态和乙类互补对称功率放大电路
    • 8.2 甲乙类互补对称功率放大电路
    • 8.3 集成功率放大器和功率管简介
  • 9 直流稳压电源
    • 9.1 小功率整流滤波电路
    • 9.2 线性稳压电路
    • 9.3 二极管基本电路
    • 9.4 开关稳压电路
二极管及其简化模型


二极管,电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。

早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。

早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。