场效应三极管的参数和型号

(1) 场效应三极管的参数

① 开启电压VGS(th) (或VT)

开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。

② 夹断电压VGS(off) (或VP)

夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零。

③ 饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流。

④ 输入电阻RGS

场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω。

⑤ 低频跨导gm

低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。

⑥ 最大漏极功耗PDM

最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。

(2) 场效应三极管的型号

场效应三极管的型号，现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如，CS14A、CS45G等。

 双极型和场效应型三极管的比较