半导体器件与集成电路实验

唐春晓、马慧莉

目录

  • 1 理论教学1
    • 1.1 第一课时
  • 2 实验一：硅缺陷显示与观察
    • 2.1 第一课时
  • 3 实验二：p-n结电容的测量
    • 3.1 第一课时
  • 4 实验三：用图示仪检测双极型晶体管
    • 4.1 第一课时
  • 5 实验四：晶体管hFE随注入电流变化测试
    • 5.1 第一课时
  • 6 实验五：用图示仪检测场效应晶体管
    • 6.1 第一课时
  • 7 实验六：TTL与非门电路的模拟与测试
    • 7.1 第一课时
  • 8 实验七：TTL与非门电路输入输出特性测试
    • 8.1 第一课时
  • 9 实验八：CMOS集成电路直流参数测试
    • 9.1 第一课时
  • 10 实验九：CMOS集成电路动态参数测试
    • 10.1 第一课时
  • 11 实验十：集成运算放大器参数的测量
    • 11.1 第一课时
第一课时

实验五 教学指导书：


实验五 讲解视频：

注：因课程教学计划变动，视频中实验序号可能与本网页有所区别，请忽略这一问题。

图示仪使用讲解视频：