目录

  • 1 第一单元
    • 1.1 绪论
  • 2 认识传感器
    • 2.1 项目简介
    • 2.2 传感器定义与分类
    • 2.3 传感器性能指标与调理电路
    • 2.4 实训操作
    • 2.5 知识拓展
    • 2.6 项目小结
    • 2.7 习题
  • 3 测量力和压力
    • 3.1 项目简介
    • 3.2 电阻应变片式传感器
    • 3.3 压阻式固态压力传感器
    • 3.4 压电式传感器
    • 3.5 知识拓展
    • 3.6 项目小结
    • 3.7 习题
  • 4 测量温度
    • 4.1 项目简介
    • 4.2 热电偶
    • 4.3 金属热电阻
    • 4.4 热敏电阻
    • 4.5 集成温度传感器
    • 4.6 知识拓展
    • 4.7 项目小结
    • 4.8 习题
  • 5 测量转速
    • 5.1 项目简介
    • 5.2 电涡流传感器
    • 5.3 霍尔传感器
    • 5.4 磁敏传感器
    • 5.5 磁电传感器
    • 5.6 光电传感器
    • 5.7 知识拓展
    • 5.8 项目小结
    • 5.9 习题
  • 6 测量位移
    • 6.1 项目简介
    • 6.2 电感式传感器
    • 6.3 电容式传感器
    • 6.4 光纤传感器
    • 6.5 超声波传感器
    • 6.6 光栅
    • 6.7 光电编码器
    • 6.8 知识拓展
    • 6.9 项目小结
    • 6.10 习题
  • 7 测量气体和湿度
    • 7.1 项目简介
    • 7.2 气敏传感器
    • 7.3 湿敏传感器
    • 7.4 知识拓展
    • 7.5 项目小结
    • 7.6 习题
  • 8 实训拓展
    • 8.1 传感器原理动画示意
    • 8.2 传感器实验连线图
    • 8.3 传感器实验注意事项
    • 8.4 基础实验内容(一)
    • 8.5 基础实验内容(二)
    • 8.6 增强型实验内容
    • 8.7 实训设备操作说明
    • 8.8 实验视频
压阻式固态压力传感器
  • 1 相关知识
  • 2 实训2-4







1.压阻效应

压阻效应是指当半导体材料在某一方向承受应力时,其电阻率(或电阻)发生变化的现象。当半导体(单晶硅)材料受到外力作用,产生肉眼无法察觉的极微小应变,其原子结构内部的电子能级状态发生变化,从而导致其电阻率剧烈的变化,由这种材料制成的电阻的阻值会出现极大的变化。

利用压阻效应原理,在单晶硅片上,沿特定晶向制成应变电阻,构成直流电桥,并同时利用硅的弹性力学特性,在同一硅片上进行特殊的机械加工,制成集应力敏感与力电转换于一体的力学量传感器,称为压阻式固态压力传感器。


图2-7  常见的压阻式固态压力传感器



2.压阻式固态压力传感器的结构和工作原理

       

      (a)硅膜片及应变片                      (b)等效电路

图2-8  压阻式固态压力传感器


压阻式固态压力传感器由外壳、硅膜片和引出线等组成。硅膜片是传感器中感受压力的部分,该膜片上有四个阻值相等的应变电阻,其中R1和R4位于膜片中央,R2和R3位于膜片的边缘,将四个应变电阻接入直流电桥,构成全桥工作方式。  

当硅膜片两端压力相等时,膜片不发生变形,四个应变电阻相等,电桥输出电压为零。

当膜片两端压力不等时,膜片产生变形,产生机械变形,引起应变电阻阻值变化。当四个电阻阻值发生变化时,电桥失去平衡,输出电压。此时直流电桥的输出电压与膜片两侧的压差成正比

压阻式固态压力传感器测量准确度受到温度的影响, 由于采用恒压源供电的直流电桥输出电压与ΔR / R成正比,输出电压受环境温度的影响。而采用恒流源供电的电桥输出电压与ΔR成正比,环境温度的变化对其没有影响。故压阻式固态压力传感器通常采用恒流源供电方式。