半导体物理与器件

赵文生

目录

  • 1 导论
    • 1.1 半导体器件的起源
    • 1.2 半导体器件的发展
  • 2 半导体基础
    • 2.1 电子与空穴
    • 2.2 能级
    • 2.3 热平衡状态
    • 2.4 载流子浓度
    • 2.5 n和p的通用理论
  • 3 载流子的运动
    • 3.1 漂移运动
    • 3.2 扩散运动
    • 3.3 产生与复合
  • 4 p-n结
    • 4.1 能带图
    • 4.2 耗尽
    • 4.3 电容-电压特性
    • 4.4 p-n结的击穿
    • 4.5 电流-电压特性
    • 4.6 p-n结在光电器件中的应用
    • 4.7 金属-半导体结
  • 5 MOS电容
    • 5.1 结构
    • 5.2 能带
    • 5.3 阈值电压
    • 5.4 电容-电压特性
  • 6 MOS晶体管
    • 6.1 结构
    • 6.2 表面迁移率
    • 6.3 体效应
    • 6.4 电流-电压模型
    • 6.5 反相器
    • 6.6 漏电流
    • 6.7 噪声
    • 6.8 等比例缩小
  • 7 双极型晶体管
    • 7.1 结构
    • 7.2 基极电流
    • 7.3 小信号模型
    • 7.4 电荷控制模型
    • 7.5 大信号模型
半导体器件的起源