目录

  • 1 课程思政材料
    • 1.1 课程思政大纲修订
    • 1.2 课程思政教学视频
  • 2 第一章绪论
    • 2.1 学习本课程注意事项及本课程介绍
    • 2.2 学习方法教育
  • 3 第二单元原子结构和元素周期律
    • 3.1 第一课时氢原子光谱和玻尔理论
    • 3.2 原子的量子力学模型
    • 3.3 多电子原子核外电子的分布
    • 3.4 元素周期系和元素基本性质的周期性
    • 3.5 第二章  原子结构和元素周期律  习题解答
  • 4 第三单元分子结构与晶体结构
    • 4.1 第一课时离子键理论与离子晶体
    • 4.2 第二课时共价键理论
    • 4.3 第三课时分子间力与氢键
    • 4.4 第四课时原子晶体和分子晶体
    • 4.5 第五课时金属键和金属晶体
    • 4.6 第六课时离子的极化
    • 4.7 第三章 分子结构和晶体结构  习题解答
  • 5 第四单元配位键和配位化合物
    • 5.1 第一课时配位化合物的基本概念
    • 5.2 第二课时价键理论
    • 5.3 第三课时配位化合物的应用
    • 5.4 第四章  配位化合物习题  参考解答
  • 6 第六单元定量分析化学概述
    • 6.1 第一课时定量分析的一般过程
    • 6.2 第二课时有效数字及其运算规则
    • 6.3 第三课时定量分析中的误差问题
    • 6.4 第四课时有限实验数据的统计处理
    • 6.5 第六章  定量分析化学概述 习题解答
  • 7 第七单元水溶液的解离平衡
    • 7.1 第一课时 酸碱平衡
    • 7.2 第二课时强电解质溶液
    • 7.3 第三课时沉淀溶解平衡
    • 7.4 第四课时配位平衡
    • 7.5 第七章 水溶液中的解离平衡  习题解答
  • 8 第八单元氧化还原反应
    • 8.1 第一课时氧化还原反应的基本概念和反应方程式的配平
    • 8.2 第二课时原电池和电极电势
    • 8.3 第三课时电极电势的应用
    • 8.4 第四课时元素电势图及其应用
    • 8.5 第八章 氧化还原反应  习题解答
  • 9 第九单元化学分析法
    • 9.1 滴定分析法概论
    • 9.2 习题9-1
    • 9.3 酸碱滴定法
    • 9.4 习题9-2
    • 9.5 配位滴定法
    • 9.6 习题9-3
    • 9.7 第九章化学分析法  习题
    • 9.8 氧化还原滴定法
    • 9.9 9.4.1  条件电极电势及其影响因素
    • 9.10 9.4.2 氧化还原准确滴定条件和反应速率
    • 9.11 9.4.3氧化还原滴定曲线及终点的确定
    • 9.12 9.4.4  氧化还原滴定中的预处理
    • 9.13 9.4.5  常用的氧化还原滴定法
    • 9.14 习题9-4
    • 9.15 沉淀溶解平衡及其应用
    • 9.16 习题9-5
  • 10 第十单元 吸光光度法
    • 10.1 第一课时 概述
    • 10.2 第二课时 光吸收的基本定律
    • 10.3 第三课时 分光光度计的基本部件
    • 10.4 第四课时 显色反应和显色反应条件的选择
    • 10.5 第五课时 吸光度测定条件的选择
    • 10.6 第六课时 吸光光度分析法的应用
    • 10.7 第十章  分光光度法习题  习题解答
  • 11 第十一章  元素化学
    • 11.1 第一课时 元素概述
    • 11.2 第二课时  s区元素
    • 11.3 第三课时 p区元素
    • 11.4 第四课时 d区元素
    • 11.5 第五课时 ds区元素
  • 12 第12章分析化学中常用的分离富集方法
    • 12.1 第一课时 概述
    • 12.2 第二课时 沉淀分离
    • 12.3 新建课程目录
    • 12.4 第四课时 离子交换分离法
    • 12.5 第五课时 色谱分离
沉淀溶解平衡及其应用

9.5  沉淀溶解平衡及其应用

9.5.1  影响沉淀纯度的因素

9.5.2  沉淀的形成和沉淀条件

9.5.3 重量分析法

9.5.4 沉淀滴定法

9.5.1影响沉淀纯度的因素

一、共沉淀  (coprecipitation)

       沉淀析出时,溶液中的某些可溶性杂质会被沉淀带下来而混杂于沉淀中,这种现象称为共沉淀。如,BaSO4沉淀中常含有Fe2(SO4)3

       重量分析中最重要的误差来源之一。

       产生共沉淀的原因表面吸附,形成混晶吸留和包藏等,其中主要的是表面吸附。


1. 表面吸附

       沉淀表面离子电荷的作用力未完全平衡,形成自由力场,溶液中带相反电荷的离子被吸引到沉淀表面上,形成第一吸附层。

沉淀吸附杂质的量与下列因素有关:

(1)沉淀的总表面积:总表面积↑,吸附杂质↑;

(2)杂质离子的浓度:浓度↑,吸附现象↑;

(3)温度:吸附是放热过程,溶液温度↑,沉淀吸附杂质的量就减少。

2. 混晶

杂质与沉淀具有相同的晶格,或杂质离子与构晶离子具有相同的电荷相近的离子半径,杂质将进入晶格排列中形成混晶。

MgNH4AsO4·6H2O —MgNH4PO4·6H2O ,PbSO4 —BaSO4

       洗涤或陈化的方法无法净化沉淀。

如何避免:先分离除去。

3. 吸留和包藏

   吸留是被吸附的杂质机械地嵌入沉淀中。

   包藏常指母液机械地包藏在沉淀中。

发生的原因:沉淀剂加入太快,使沉淀急速生长,沉淀表面吸附的杂质来不及离开就被随后生成的沉淀所覆盖。

       杂质被吸留或包藏在沉淀内部,不能用洗涤的方法将杂质除去,

如何避免:改变沉淀条件、陈化或重结晶。

二、后沉淀   (postprecipitation

由于沉淀速度的差异,在已形成的沉淀上形成第二种不溶物质,多发生在某组分形成的稳定的过饱和溶液中。

例:若把含有Mg2+的母液与草酸钙沉淀一起放置一段时间,则草酸镁的后沉淀量将会增多。

        后沉淀所引入的杂质量比共沉淀要多,且随着沉淀放置时间的延长而增多。

        某些沉淀的陈化时间不宜过久。

三、获得纯净沉淀的措施(236页)

1)采用适当的分析程序和沉淀方法;

2)降低易被吸附离子的浓度;

3)再沉淀。

9.5.2 沉淀的形成与沉淀条件

1  沉淀的形成

      晶核形成过程:当形成沉淀离子浓度的乘积>Ksp,离子相互碰撞聚集成微小的晶核。

     晶核长大过程:构晶离子向晶核表面扩散,并沉积在晶核上,晶核就逐渐长大成沉淀微粒。

      聚集速度:晶核→聚集成沉淀微粒的速度。

     定向速度:构晶离子在晶格中定向排列的速度。

    非晶形沉淀:聚集速度>定向速度。

     晶形沉淀:定向速度>聚集速度。