职称:教授
单位:西安电子科技大学
部门:微电子学院集成电路工程系
职位:微电子科学与工程专业负责人
主讲教师:戴显英
教师团队:共8位
| 课程章节 | | 文件类型 | | 大小 | | 备注 | |
| 1.1 绪论教学设计 |
文档
.pdf
|
39.67MB | ||
|
文档
.pdf
|
67.75MB | |||
|
文档
.pdf
|
2.25MB | |||
|
文档
.pdf
|
7.80MB | |||
|
视频
.mp4
|
22.81MB | |||
|
文档
.pdf
|
5.98MB | |||
|
附件
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|
-- | |||
| 1.2 集成电路技术发展历史 |
文档
.pdf
|
8.18MB | ||
|
视频
.mp4
|
397.39MB | |||
| 1.3 中国集成电路发展历程 |
视频
.mp4
|
370.30MB | ||
|
视频
.mp4
|
375.09MB | |||
| 1.4 摩尔定律 |
视频
.mp4
|
391.12MB | ||
| 1.5 集成电路产业链 |
视频
.mp4
|
427.50MB | ||
| 1.6 绪论测验 |
作业
.work
|
-- | ||
| 2.1 教学设计 |
文档
.pptx
|
484.45KB | ||
|
文档
.ppt
|
3.38MB | |||
|
文档
.ppt
|
9.31MB | |||
|
文档
.ppt
|
704.50KB | |||
|
文档
.ppt
|
10.24MB | |||
|
文档
.ppt
|
1.35MB | |||
|
文档
.pdf
|
3.51MB | |||
| 2.2 半导体硅的重要性 |
视频
.mp4
|
503.42MB | ||
| 2.3 多晶硅的制备 |
视频
.mp4
|
274.27MB | ||
| 2.4 Si单晶的制备 |
视频
.mp4
|
469.66MB | ||
| 2.5 硅片的制备 |
视频
.mp4
|
485.70MB | ||
| 2.6 硅片测验 |
作业
.work
|
-- | ||
| 3.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
5.00MB | ||
|
附件
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|
-- | |||
|
附件
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|
-- | |||
|
附件
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|
-- | |||
|
附件
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|
-- | |||
|
附件
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|
-- | |||
|
视频
.mp4
|
634.80MB | |||
|
视频
.mp4
|
594.23MB | |||
| 3.2 热氧化的种类及应用 |
视频
.mp4
|
227.55MB | ||
| 3.3 硅的热氧化生长过程分析 |
视频
.mp4
|
236.90MB | ||
| 3.4 迪尔-格罗夫氧化动力学分析 |
视频
.mp4
|
452.94MB | ||
| 3.5 热氧化生长速率 |
视频
.mp4
|
287.58MB | ||
| 3.6 影响氧化速率的决定性因素 |
视频
.mp4
|
381.67MB | ||
| 3.7 影响氧化速率的其他因素 |
视频
.mp4
|
306.95MB | ||
| 3.8 热氧化过程中的杂质再分布 |
视频
.mp4
|
308.47MB | ||
| 3.9 快速初始氧化阶段 |
视频
.mp4
|
154.70MB | ||
| 3.10 氧化测验 |
作业
.work
|
-- | ||
| 4.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
2.80MB | ||
| 4.2 扩散的基本概念 |
视频
.mp4
|
220.20MB | ||
| 4.3 扩散系数和扩散方程 |
视频
.mp4
|
263.81MB | ||
| 4.4 扩散杂质浓度分布 |
视频
.mp4
|
367.81MB | ||
| 4.5 二维扩散和扩散的局限性 |
视频
.mp4
|
236.27MB | ||
| 4.6 扩散工艺 |
视频
.mp4
|
260.64MB | ||
| 5.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
6.72MB | ||
|
视频
.mp4
|
670.46MB | |||
|
视频
.mp4
|
500.54MB | |||
| 5.2 离子注入基本概念 |
文档
.pdf
|
6.72MB | ||
|
视频
.mp4
|
422.60MB | |||
| 5.3 离子注入机理 |
文档
.pdf
|
6.72MB | ||
|
视频
.mp4
|
334.59MB | |||
| 5.4 离子注入分布 |
视频
.mp4
|
410.06MB | ||
| 5.5 沟道效应 |
视频
.mp4
|
328.71MB | ||
| 5.6 离子注入损伤 |
视频
.mp4
|
350.62MB | ||
| 5.7 离子注入退火 |
视频
.mp4
|
279.37MB | ||
| 5.8 快速热退火 |
视频
.mp4
|
206.44MB | ||
| 5.9 离子注入应用 |
视频
.mp4
|
262.16MB | ||
| 5.10 扩散与离子注入测验 |
作业
.work
|
-- | ||
| 6.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
3.54MB | ||
| 6.2 薄膜制备基本概念 |
视频
.mp4
|
279.39MB | ||
| 6.3 真空蒸发基本概念 |
视频
.mp4
|
405.99MB | ||
| 6.4 真空蒸发方式 |
视频
.mp4
|
446.13MB | ||
| 6.5 真空蒸发应用及局限性 |
视频
.mp4
|
340.42MB | ||
| 6.6 溅射基本概念 |
视频
.mp4
|
254.01MB | ||
| 6.7 溅射方法 |
视频
.mp4
|
563.87MB | ||
| 7.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
6.27MB | ||
|
视频
.mp4
|
622.99MB | |||
|
视频
.mp4
|
617.57MB | |||
| 7.2 CVD基本概念与应用 |
视频
.mp4
|
253.65MB | ||
| 7.3 CVD的基本过程 |
视频
.mp4
|
323.52MB | ||
| 7.4 化学气相淀积动力学分析 |
视频
.mp4
|
350.07MB | ||
| 7.5 影响淀积速率的因素 |
视频
.mp4
|
372.01MB | ||
| 7.6 CVD系统 |
视频
.mp4
|
279.85MB | ||
| 7.7 CVD多晶硅与金属 |
视频
.mp4
|
330.34MB | ||
| 7.8 CVD二氧化硅 |
视频
.mp4
|
469.62MB | ||
| 7.9 CVD氮化硅 |
视频
.mp4
|
322.24MB | ||
| 8.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
2.83MB | ||
| 8.2 外延的基本概念 |
视频
.mp4
|
453.27MB | ||
| 8.3 外延生长模型 |
视频
.mp4
|
392.73MB | ||
| 8.4 外延生长的影响因素 |
视频
.mp4
|
484.19MB | ||
| 8.5 外延层杂质分布 |
视频
.mp4
|
471.45MB | ||
| 8.6 先进的外延技术 |
视频
.mp4
|
450.76MB | ||
| 8.7 PVD+CVD+外延测验 |
作业
.work
|
-- | ||
| 9.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
4.10MB | ||
|
文档
.pdf
|
6.41MB | |||
|
文档
.pdf
|
1.80MB | |||
|
文档
.pdf
|
2.06MB | |||
|
文档
.pdf
|
483.00KB | |||
|
文档
.pdf
|
1.50MB | |||
|
文档
.pdf
|
2.20MB | |||
|
视频
.mp4
|
232.55MB | |||
|
视频
.mp4
|
193.56MB | |||
|
视频
.mp4
|
266.20MB | |||
|
视频
.mp4
|
289.11MB | |||
| 9.2 光刻工艺重要性与光刻三要素 |
视频
.mp4
|
698.69MB | ||
| 9.3 光刻工艺流程(上) |
视频
.mp4
|
390.42MB | ||
| 9.4 光刻工艺流程(下) |
视频
.mp4
|
403.16MB | ||
| 9.5 光刻分辨率 |
视频
.mp4
|
576.28MB | ||
| 9.6 光刻胶 |
视频
.mp4
|
376.22MB | ||
| 9.7 光刻版 |
视频
.mp4
|
484.76MB | ||
| 9.8 光刻机 |
视频
.mp4
|
222.02MB | ||
| 9.9 曝光光源 |
视频
.mp4
|
198.89MB | ||
| 9.10 光刻测验 |
作业
.work
|
-- | ||
| 10.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
3.20MB | ||
|
视频
.mp4
|
286.49MB | |||
|
视频
.mp4
|
273.82MB | |||
| 10.2 刻蚀参数 |
视频
.mp4
|
452.87MB | ||
| 10.3 湿法刻蚀 |
视频
.mp4
|
483.43MB | ||
| 10.4 干法刻蚀 |
视频
.mp4
|
422.69MB | ||
| 10.5 干法刻蚀的应用 |
视频
.mp4
|
590.50MB | ||
| 11.1 教学设计 |
视频
.mp4
|
247.27MB | ||
|
视频
.mp4
|
229.00MB | |||
|
文档
.pdf
|
3.98MB | |||
| 11.2 典型金属化材料及应用 |
视频
.mp4
|
402.19MB | ||
| 11.3 金属铝的性质与铝互连 |
视频
.mp4
|
268.37MB | ||
| 11.4 铜互连工艺的关键 |
视频
.mp4
|
303.86MB | ||
| 11.5 多层互连与平坦化技术 |
视频
.mp4
|
286.16MB | ||
| 12.1 教学设计 |
文档
.pdf
|
5.83MB | ||
|
文档
.ppt
|
14.16MB | |||
|
文档
.pdf
|
1.14MB | |||
|
文档
.ppt
|
7.30MB | |||
|
文档
.ppt
|
7.69MB | |||
|
文档
.pdf
|
437.73KB | |||
|
视频
.mp4
|
245.63MB | |||
|
视频
.mp4
|
254.61MB | |||
| 12.2 集成电路中的隔离 |
视频
.mp4
|
374.78MB | ||
| 12.3 Si CMOS IC的阱工艺及工艺流程 |
视频
.mp4
|
254.02MB | ||
| 12.4 标准埋层双极集成电路技术与工艺流程 |
视频
.mp4
|
212.34MB | ||
| 12.5 Si CMO IC工艺技术特征与发展 |
视频
.mp4
|
622.60MB | ||
| 12.6 现代Si CMOS IC工艺流程(一) |
视频
.mp4
|
64.80MB | ||
| 12.7 现代Si CMOS IC工艺流程(二) |
视频
.mp4
|
81.40MB | ||
| 12.8 现代Si CMOS IC工艺流程(三) |
视频
.mp4
|
53.36MB | ||
| 12.9 工艺集成测验 |
作业
.work
|
-- | ||
| 13.1 教学设计课件及软件教程 |
文档
.pdf
|
10.16MB | ||
| 13.2.1 热氧化鸟嘴效应 |
文档
.docx
|
212.50KB | ||
| 13.2.2 扩散的预淀积工艺 |
文档
.docx
|
127.00KB | ||
| 13.2.3 离子注入沟道效应防止方法 |
文档
.docx
|
56.33KB | ||
| 13.2.4 CVD工艺 |
文档
.docx
|
63.02KB | ||
| 13.2.5 外延工艺 |
文档
.docx
|
104.53KB | ||
| 13.2.6 光刻工艺 |
文档
.docx
|
88.87KB | ||
| 13.2.7 刻蚀工艺 |
文档
.docx
|
79.12KB | ||
| 13.2.8 CMP工艺 |
文档
.docx
|
122.52KB | ||
| 13.3 GaN LED工艺制造与光电特性虚拟仿真实验 |
文档
.doc
|
6.81MB | ||
| 14.1 教学设计、课件 |
文档
.pdf
|
1.77MB | ||
| 14.2 课堂教学录像 |
视频
.mp4
|
273.82MB | ||
| 15.1 教学设计、课件 |
文档
.pdf
|
4.38MB | ||
| 15.2 课堂教学录像 |
视频
.mp4
|
369.65MB | ||
| 16.1 课程论文设计 |
文档
.pdf
|
83.13KB | ||
|
文档
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|
96.20KB | |||
|
文档
.pdf
|
137.76KB | |||
| 16.2 课程论文答辩 |
视频
.mp4
|
397.19MB | ||
|
视频
.mp4
|
261.58MB | |||
| 17.1 ppt课件 |
文档
.pdf
|
2.00MB | ||
| 17.2 课堂教学录像 |
视频
.mp4
|
251.88MB | ||
| 18.1 课程考核成绩组成 |
文档
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|
266.65KB | ||
|
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| 18.2 平时作业 |
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|
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附件
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|
文档
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14.42MB | |||
|
文档
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|
12.24MB | |||
|
文档
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623.49KB | |||
|
文档
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1.35MB | |||
|
文档
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305.51KB | |||
|
文档
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2.78MB | |||
| 18.3 随堂测试 |
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| 18.4 课堂讨论 |
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文档
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文档
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| 18.5 课程论文暨翻转课堂 |
文档
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文档
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视频
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| 18.6 工艺仿真与工艺设计实践 |
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| 18.6.1 单项工艺虚拟仿真 |
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| 18.6.2 工艺设计 |
文档
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| 18.6.3 GaN LED器件设计与仿真 |
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| 18.8 课程成绩 |
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